磁控溅射镀膜设备 磁控溅射镀膜设备厂家排名

真空卷绕镀膜机的定义是什么呀？都应用在哪些行业？急！！

物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。

产品详情说明:

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离子镀的基本特点是采用某种方法(如电子束蒸发磁控溅射，或多弧蒸发离化等)使中性粒子电离成离子和电子，在基体上必须施加负偏压，从而使离子对基体产生轰击，适当降低负偏压后，使离子进而沉积于基体成膜。 离子镀的优点如下：①膜层和基体结合力强。②膜层均匀，致密。③在负偏压作用下绕镀性好。④无污染。⑤多种基体材料均适合于离子镀。

主要特点：

1、卷饶系统采用高精度支流或交流变频调速，具有运行平稳、速度高、对原卷材不划伤、不折皱，收卷端面整齐等特点；

3、各组送丝由微机电机控制，可总调或单独调速，并有速度显示；

4、真空系统配置精良，抽气速度快，采用PLC控制；

基本配置：

本设备主要由真空抽气系统、真空室、基材卷绕系统、铝蒸发系统、电气控控柜、蒸镀作台等部分组成。

1. 真空室为卧式圆筒形，304不锈钢制造，真空室尺寸Φ1000～1400mm；

2. 真空系统1至2台扩散本、罗茨泵、机械泵等组成，采用气动及电磁阀等阀门；

3. 卷绕系统采用6至10组辊子， 收卷辊、放卷辊、水冷辊各由一台电动机驱动；

4. 镀膜系统根据产品可选择蒸发送丝镀膜系统或磁控溅射镀膜系统。送丝机构含有坩埚、电极、水冷、送丝机、电源等。磁控溅射可配1-4只平面靶及溅射电源；

5. 真空辅助抽气系统配一台快速循环低温水汽捕集器。

技术参数:

1、极限真空(空载、干燥、洁净): 7×10-a

4、卷径： 如果采用电子束蒸发源蒸发，在坩埚上方加20V～100V的正偏压。在真空室中导人反应性气体。如N2、02、C2H2、CH4等代替Ar，或混入Ar，电子束中的高能电子(几千至几万电子伏特)，不仅使镀料熔化蒸发，而且能在熔化的镀料表面激励出二次电子，这些二次电子在上方正偏压作用下加速，与镀料蒸发中性粒子发生碰撞而电离成离子，在工件表面发生离化反应，从而获得氧化物(如Te02：Si02、Al203、Zn0、Sn02、Cr203、Zr02、In02等)。其特点是沉积率高，工艺温度低。 Φ800mm

5、镀膜速度： 120～200m/min

6、消耗功率： 135KW

真空镀膜设备的介绍

不多了吧，随着你使用的气体比例不同，颜色可能略有别，建议你慢慢的加氧气含量，就能摸出最适合你的那种红色了。

真空镀膜设3、可镀幅宽： 1000mm备，主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。

机器运行时的注意事项:

谁知道真空蒸发镀膜和磁控溅射镀膜哪个更先进？

磁控溅射更先进些。不过磁控溅射产能不高。要看近十多年来，真空离子镀膜技术的发展是最快的，它已经成为当今的表面处理方式之一。我们通常所说的PVD镀膜 ，指的就是真空离子镀膜；通常所说的PVD镀膜机，指的也就是真空离子镀膜机。你镀什么产品。不同的产品要求不一样，所用的设备 也不一样。磁控溅射一般用于高端的塑料制品、陶瓷、树脂、水晶玻璃制品等、工艺品、电子产品、建材等。蒸发镀一般应用于塑料（ABS/PS/PP/PC/PVC）、尼龙、陶瓷、树脂、玻璃等材料的玩具、饰物、工艺品、手机壳、电子产品、化妆包等行业。

当然真空磁控溅射镀膜更先进，真空镀膜也还在用着5、配备大(9)出炉，．取件后，关闭真空室，抽真空至l × l0-1Pa，扩散泵冷却到允许温度，才可关闭维持泵和冷却水。功率电源，镀膜效率高，膜层均匀性好。。

真空镀膜机大概多少钱一台

(2)气态的原子、分子在真空中经过很少的碰撞迁移到基体。

很朋友都问这(3)抽真空，一般(三)真空蒸镀工艺实例 以塑料金属化为例,真空蒸镀工艺包括：镀前处理、镀膜及后处理。先粗抽至6．6Pa以上，更早打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵，待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。个问题，真空镀膜设备分好几种，看工艺看设备配置，蒸发镀膜机在15-40万，多弧离子镀膜设备在30-120万，磁控溅射镀膜设备在60-100万、工具镀膜设备在70-100万

磁控真空镀膜机的概念什么，我要考试，给我个标准一点的

物理气相沉积是通过蒸发，电离或溅射等过程，产生金属粒子并与反应气体反应形成化合物沉积在工件表面。物理气象沉积方法有真空镀，真空溅射和离子镀三种，目前应用较广的是离子镀。

磁控溅射镀膜机其工作原理是在真空状态下，使用弧光放电和辉光放电的工作原理。在金属和非金属的工件表面上镀制金色的氮化钛，黑色碳化钛，七彩的氮氧化钛等。亦可镀防腐蚀膜（如AL,Cr不锈钢及(4)烘烤，将镀件烘烤加热到所需温度。TiN等）和耐磨膜，膜层与基底结合牢固，利用溅射工艺进行镀膜，可提高膜层的附着力、重复性、致密度、均匀度等特点。适合于塑料制品、陶瓷、树脂、水晶玻璃制品等、工艺品、塑料手机壳、电子产品、建材等行业，具有很好的发展前景。

铜靶、铝靶、钛靶、合金铝靶这些都可以渡出红色 ，能不能渡出来红色 ，也与镀膜结构和反映气体有关的

磁控溅射膜 是什么意思 另外 是不是 金属膜都是采用磁控溅射技术的

1、靶材的外形尺寸要与机器要求的设计一致;

金属膜是采用磁控溅射技术的。

3 铁靶（不锈钢靶） 氩气+氧气溅射 紫红色

磁控溅射膜

主要利用辉光放电(glow

靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好,但是镀膜速度却比蒸镀慢很多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的氩气离子化,

造成靶与氩气离子间的撞击机率增加,

提高溅镀速率。一般金属镀膜大都采用直流溅镀,而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀,基本的原理是在真空中利用辉光放电(glow

磁控溅射膜即物理气相沉积(PVD)

金属镀膜不一定用磁控溅射，可以根据成本&工艺需求选择合理的沉积方法，具体有：

物理气相沉积(PVD)技术

节 概述

物理气相沉积(Physical Vapor Deition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。

真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，高频感应加热，电子柬、激光束、离子束高能轰击镀料，使蒸发成气相，然后沉积在基体表面，历史上，真空蒸镀是PVD法中使用最早的技术。

溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电，称直流(Qc)溅射，射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。 电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下，用引弧针引弧，使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电，阴极表面快速移动着多个阴极弧斑，不断迅速蒸发甚至“异华”镀料，使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体，并能迅速将镀料沉积于基体。因为有多弧斑，所以也称多弧蒸发离化过程。

(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。

(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。

(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。

第二节 真空蒸镀

(物理气相沉积技术早在20世纪初已有些应用，但在最近30年迅速发展，成为一门极具广阔应用前景的新技术。，并向着环保型、清洁型趋势发展。20世纪90年代初至今，在钟表行业，尤其是手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为广泛的应用。一)真空蒸镀原理

(1) 真空蒸镀是在真空条件下，将镀料加热并蒸发，使大量的原子、分子气化并离开液体镀料或离开固体镀料表面(升华)。

(3)镀料原子、分子沉积在基体表面形成薄膜。

(二)蒸发源

真空蒸镀的基本工艺过程如下：

(1)镀前处理，包括清洗镀件和预处理。具体清洗方法有清洗剂清洗、化学溶剂清洗、清洗和离子轰击清洗等。具体预处理有除静电，涂底漆等。

(2)装炉，包括真空室清理及镀件挂具的清洗，蒸发源安装、调试、镀件褂卡。

(5)离子轰击，真空度一般在10Pa～10-1Pa，离子轰击电压200V～1kV负高压，离击时间为5min～30min,

(6)预熔，调整电流使镀料预熔，调整电流使镀料预熔，除气1min～2min。

(7)蒸发沉积，根据要求调整蒸发电流，直到所需沉积时间结束。

(8)冷却，镀件在真空室内冷却到一定温度。

第三节 溅射镀膜

第四节 电弧蒸发和电弧等离子体镀膜

这里指的是PVD领域通常采用的冷阴极电弧蒸发，以固体镀料作为阴极，采用水冷、使冷阴极表面形成许多亮斑，即阴极弧斑。弧斑就是电弧在阴极附近的弧根。在极小空间的电流密度极高，弧斑尺寸极小，估计约为1μm～100μm，电流密度高达l05A／cm2～107A／cm2。每个弧斑存在极短时间，爆发性地蒸发离化阴极改正点处的镀料，蒸发离化后的金属离子，在阴极表面也会产生新的弧斑，许多弧斑不断产生和消失，所以又称多弧蒸发。 最早设计的等离子体加速器型多弧蒸发离化源，是在阴极背后配置磁场，使蒸发后的离子获得霍尔(hall)加速效应，有利于离子增大能量轰击量体，采用这种电弧蒸发离化源镀膜，离化率较高，所以又称为电弧等离子体镀膜。 由于镀料的蒸发离化靠电弧，所以属于区别于第二节，第三节所述的蒸发手段。

第五节 离子镀

离子镀技术最早在1963年由D．M．Mattox提出，1972年，Bunshah &Juntz推出活性反应蒸发离子镀(AREIP)，沉积TiN,TiC等超硬膜，1972年Moley&Smith发展完善了空心热阴极离子镀，l973年又发展出射频离子镀(RFIP)。20世纪80年代，又发展出磁控溅射离子镀(MSIP)和多弧离子镀(MAIP)。

(一) 离子镀

(二)反应性离子镀

多弧离子镀又称作电弧离子镀，由于在阴极上有多个弧斑持续呈现，故称作“多弧”。多弧离子镀的主要特点如下： (1)阴极电弧蒸发离化源可从固体阴极直接产生等离子体，而不产生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多个蒸发离化源。 (2)镀料的离化率高，一般达60％～90％，显著提高与基体的结合力改善膜层的性能。 (3)沉积速率高，改善镀膜的效率。 (4)设备结构简单，弧电源工作在低电压大电流工况，工作较为安全。

英文指"phisical vapor deition" 简称PVD.是镀膜行业常用的术语.

PVD(物理气相沉积)镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。对应于PVD技术的三个分类，相应的真空镀膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。

物理气相沉积（PVD）

物理气相沉积(PVD)技术

节 概述

物理气相沉积(Physical Vapor Deition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。

真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，高频感应加热，电子柬、激光束、离子束高能轰击镀料，使蒸发成气相，然后沉积在基体表面，历史上，真空蒸镀是PVD法中使用最早的技术。

溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电，称直流(Qc)溅射，射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。 电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下，用引弧针引弧，使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电，阴极表面快速移动着多个阴极弧斑，不断迅速蒸发甚至“异华”镀料，使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体，并能迅速将镀料沉积于基体。因为有多弧斑，所以也称多弧蒸发离化过程。

(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。

(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。

(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。

第二节 真空蒸镀

(一)真空蒸镀原理

(1) 真空蒸镀是在真空条件下，将镀料加热并蒸发，使大量的原子、分子气化并离开液体镀料或离开固体镀料表面(升华)。

(3)镀料原子、分子沉积在基体表面形成薄膜。

(二)蒸发源

真空蒸镀的基本工艺过程如下：

(1)镀前处理，包括清洗镀件和预处理。具体清洗方法有清洗剂清洗、化学溶剂清洗、清洗和离子轰击清洗等。具体预处理有除静电，涂底漆等。

(2)装炉，包括真空室清理及镀件挂具的清洗，蒸发源安装、调试、镀件褂卡。

(5)离子轰击，真空度一般在10Pa～10-1Pa，离子轰击电压200V～1kV负高压，离击时间为5min～30min,

(6)预熔，调整电流使镀料预熔，调整电流使镀料预熔，除气1min～2min。

(7)蒸发沉积，根据要求调整蒸发电流，直到所需沉积时间结束。

(8)冷却，镀件在真空室内冷却到一定温度。

第三节 溅射镀膜

第四节 电弧蒸发和电弧等离子体镀膜

这里指的是PVD领域通常采用的冷阴极电弧蒸发，以固体镀料作为阴极，采用水冷、使冷阴极表面形成许多亮斑，即阴极弧斑。弧斑就是电弧在阴极附近的弧根。在极小空间的电流密度极高，弧斑尺寸极小，估计约为1μm～100μm，电流密度高达l05A／cm2～107A／cm2。每个弧斑存在极短时间，爆发性地蒸发离化阴极改正点处的镀料，蒸发离化后的金属离子，在阴极表面也会产生新的弧斑，许多弧斑不断产生和消失，所以又称多弧蒸发。 最早设计的等离子体加速器型多弧蒸发离化源，是在阴极背后配置磁场，使蒸发后的离子获得霍尔(hall)加速效应，有利于离子增大能量轰击量体，采用这种电弧蒸发离化源镀膜，离化率较高，所以又称为电弧等离子体镀膜。 由于镀料的蒸发离化靠电弧，所以属于区别于第二节，第三节所述的蒸发手段。

第五节 离子镀

离子镀技术最早在1963年由D．M．Mattox提出，1972年，Bunshah &Juntz推出活性反应蒸发离子镀(AREIP)，沉积TiN,TiC等超硬膜，1972年Moley&Smith发展完善了空心热阴极离子镀，l973年又发展出射频离子镀(RFIP)。20世纪80年代，又发展出磁控溅射离子镀(MSIP)和多弧离子镀(MAIP)。

(一) 离子镀

(二)反应性离子镀

多弧离子镀又称作电弧离子镀，由于在阴极上有多个弧斑持续呈现，故称作“多弧”。多弧离子镀的主要特点如下： (1)阴极电弧蒸发离化源可从固体阴极直接产生等离子体，而不产生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多个蒸发离化源。 (2)镀料的离化率高，一般达60％～90％，显著提高与基体的结合力改善膜层的性能。 (3)沉积速率高，改善镀膜的效率。 (4)设备结构简单，弧电源工作在低电压大电流工况，工作较为安全。

英文指"phisical vapor deition" 简称PVD.是镀膜行业常用的术语.

PVD(物理气相沉积)镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。对应于PVD技术的三个分类，相应的真空镀膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。

物理气相沉积（PVD）

磁控溅射膜是指使用磁控溅射设备制取的膜层，根据所用靶材的不同，膜层成分也就不同，溅射时一般充入氩气，在低真空时氩原子被电离，电离出来的氩离子带正电荷，在电场的作用下轰击作为阴极的靶材，靶材表面上的原子在高能氩离子轰击下脱离靶材表面，在被镀膜的基体上沉积下来，氩气在这个过程中起到轰击的媒体。如在溅射过程中只充入氩气，溅射的靶材是纯金属，膜层也基本上是金属。实际工作中在充入氩气的同时还会根据需要充入其他气体，较多情况的是氧气，所成的膜实际上是一种成分复杂的混合膜，习惯上仍然称之为金属膜。金属膜不全是用磁控溅射制取，其它方式也能获取，只是那些方式制取的膜习惯上冠以那些方式的名称，如化学沉积膜、电镀膜等。

彩色不锈钢真空电镀有多少种类？

真空蒸镀：在高真空下，通过金属细丝的蒸发和凝结，使金属薄层附著在塑胶表面。真空蒸镀过程中金属(最常用的铝)的熔融，蒸发仅需几秒钟，整个周期(9)(三)多弧离子镀出炉，．取件后，关闭真空室，抽真空至l × l0-1Pa，扩散泵冷却到允许温度，才可关闭维持泵和冷却水。一般不超过15s，镀层厚度为0.8-1.2uM。

关于溅射靶材，镀膜材料类的产品 ，刚开始接触，如何熟悉产品 ，从哪方面了解？

离子镀基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。

磁控溅射镀膜是一种新型的物理气相镀膜方式，较之较早点的蒸发镀膜方式，其很多方面的优势相当明显。作为一项已经发展的较为成熟的技术，磁控溅射已经被应用于许多领域。

离子镀是借助于惰性气体辉光放电，使镀料（如金属钛）气化蒸发离子化，离子经电场加速，以较高能量轰击工件表面，此时如通入CO2，N2等反应气体，便可在工件表面获得TiC,TiN覆盖层，硬度高达2000HV。离子镀的重要特点是沉积温度只有500℃左右，且覆盖层附着力强，适用于高速钢工具，热锻模等。

对于蒸发镀膜:一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并且沉降在基片表面，通过成膜过程（散点－岛状结构-迷走结构-层状生长）形成薄膜。厚度均匀性主要取决于： 1。基片材料与靶材的晶格匹配程度.2、基片表面温度 3. 蒸发功率，速率4. 真空度 5. 镀膜时间，厚度大小。组分均匀性：蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上，但是由于原理所限，对于非单一组分镀膜，蒸发镀膜的组分均匀性不好。晶向均匀性：1。晶格匹配度 2。 基片温度 3。蒸发速率 .

要想熟悉产品，必须熟悉原理，原理如下：

磁控溅射原理：在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar气)，磁铁在靶材料表面形成～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。 磁控溅射一般分为二种：支流溅射和射频溅射，其中支流溅射设备原理简单，在溅射金属时，其速率也快。而射频溅射的使用范围更1 铜靶 氩气溅射 红铜本色为广泛，除可溅射导电材料外，也可溅射非导电的材料，同时还司进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射，目前常用的有电子回旋共振(ECR)型微波等离子体溅射。

具体情况要亲手作才能了解，希望能采纳！！

在磁控溅射镀膜过程中，薄膜沉积速率由哪些因素决定？

discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面,

1.2、恢复真空时间(空载、干燥、洁净): 从大气抽到6.7×10-1pa≤8min 溅射功率：溅射功率是指施加到靶材上的功率，它直接影响溅射过程中靶材的蒸发速率。通常，提高溅射功率会增加薄膜的沉积速率。

2. 靶材特性：靶材的成分、纯度和密度等特性也会影响薄膜的沉积速率。通常，较高纯度、较高密度和较均匀的靶材有助于提高沉积速率。

3. 气氛压力：沉积过程中的气氛压力（通常是真空或惰性气体对溅射过程和沉积速率有重要影响。适当的气氛压力可以提供较好的溅射条件，从而实现较高的沉积速率。

4. 靶材与基底距离：靶材与基底之间的距离也会影响溅射粒子的传输和沉积速率。较短的靶材-基底距离通常靶材表面状况、溅射角度、溅射气氛的成分等也会对薄膜沉积速率产生影响。因此，在磁控溅射过程中，需要综合考虑这些因素并进行优化，以实现所需的沉积速率和薄膜质量。会导致更高的沉积速率，但也可能引起过热等问题。

5. 溅射时间：溅射时间是指沉积过程中靶材被激活的时间，它对薄膜的厚度和沉积速率有直接影响。延长溅射时间通常会导致更厚的薄膜和更高的沉积速率。

磁控溅射镀膜为什么是一种低温沉积技术

discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面，电浆中的阳离子会加速冲向作为被溅镀材的负电极表面，这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上形成薄膜。一般来说，利用溅镀制程进行薄膜披覆有几项特点：(1)金属、合金或绝缘物均可做成薄膜材料。(2)再适当的设定条件下可将多元复杂的靶材制作出同一组成的薄膜。(3)利用放电气氛中加入氧或其它的活性气体，可以制作靶材物质与气体分子或化合物。(4)靶材输入电流及溅射时间可以控制，容易得到高精度的膜厚。(5)较其它制程利于生产大面积的均一薄膜。(6)溅射粒子几不受重力影响，靶材与基板位置可自由安排。(7)基板与膜的附着强度是一般蒸镀膜的10倍以上，且由于溅射粒子带有高能量，在成膜面会继续表面扩散而得到硬且致密的薄膜，同时此高能量使基板只要较低的温度即可得到结晶膜。(8)薄膜形成初期成核密度高，可生产10nm以下的极薄连续膜。(9)靶材的寿命长，可长时间自动化连续生产。(10)靶材可制作成各种形状，配合机台的特殊设计做更好的控制及最的生产。

而溅射式镀膜在成熟以后，微粒或者微粒团的能量很大，有效的解决了牢固度问题，所以一般不会去增加温度，也就成了低温沉积技术。

从另一个角度讲，物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：蒸发镀膜是把材料熔化成液体再镀膜，一般要13005、靶基距的影响:距离过小→加速不够→动能过小→薄膜薄→晶化率低;距离过大→散射增大→部分粒子不能溅射到石英片上→轰击过大→薄膜致密性下降.度以上，属于典型的高温。

而溅射镀膜是使用电子激发的方式，把原子级别的粒子团从靶材上喷，属于低温。