rsam放大器 放大器的cmrr

共源放大器的功耗

放大器电路由N通道组成JFET，但该器件也可以是等效的N沟道耗尽型MOSFET，因为电路图只是FET的变化，连接在一个公共源配置中。 JFET栅极电压 Vg 通过电阻器 R1 和 R2 设置的分压器网络偏置，并被偏置为在其饱和区域内工作。等效于双极结晶体管的有源区。

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与双极晶体管电路不同，结FET几乎不需要输入栅极电流，允许将栅极视为开路。然后不需要输入特性曲线。我们可以将JFET与下表中的双极结型晶体管（BJT）进行比较。

JFET与BJT的比较

电流

由于N沟道JFET是耗尽型器件并且通常是“接通”，需要相对于源极的负栅极电压来调制或控制漏极电流。只要稳定电流流过JFET，即使没有输入信号且 Vg 保持反向，也可以通过偏置单独的电源电压或自偏置装置提供此负电压。栅极 - 源极pn结的偏置。

在我们的简单示例中，偏置由分压器网络提供，允许输入信号在栅极处产生电压下降以及在栅极处产生电压上升带有正弦信号。正确比例的任何合适的电阻值对都会产生正确的偏置电压，因此直流栅极偏置电压 Vg 给出如下：

电流

请注意，此公式仅确定电阻 R1 和 R2 <的比率/ span>，但为了利用JFET的极高输入阻抗以及降低电路内的功耗，我们需要使这些电阻值尽可能高，其值大约为1MΩ至共用10MΩ。

公共源JFET放大器的输入信号（ Vin ）施加在栅极端子和零电压轨之间（0v）。在施加恒定值的栅极电压 Vg 的情况下，JFET在其“欧姆区域”内工作，其作用类似于线性电阻器件。漏极电路包含负载电阻 Rd 。输出电压 Vout 是在此负载电阻上产生的。

通过增加一个电阻 Rs

可以提高公共源JFET放大器的效率span>包含在源极引线中，漏极电流流过该电阻。电阻， Rs 也用于将JFET放大器设置为“Q点”。

当JFET完全“接通”时，电压降等于 Rs Id 在该电阻上产生，将源极端子的电位提高到0v或地电平以上。由漏极电流引起的跨越 Rs 的电压降在栅极电阻上提供必要的反向偏置条件， R2 有效地产生负反馈。

所以在为了保持栅 - 源结反向偏置，源电压 Vs 需要高于栅极电压 Vg 。因此，该源电压如下：

电流

然后是漏极电流， Id 也等于源电流，是为“无电流”进入门终端，这可以给出：

电流

与固定电压偏置电路相比，该分压器偏置电路在从单个DC电源馈电时提高了公共源极JFET放大器电路的稳定性。电阻器 Rs 和源旁路电容器 Cs 基本上与共发射极双极晶体管放大器电路中的发射极电阻器和电容器起相同的作用，即提供良好的稳定性并防止电压增益损失的减少。然而，为稳定的静态栅极电压支付的价格是更多的电源电压在 Rs 上下降。

源旁路电容的法拉值是通常相当高于100uF并且将被极化。这使得电容器的阻抗值小得多，小于跨导的10％， gm （表示增益的传递系数）值。在高频时，旁路电容基本上起到短路作用，并且源极有效地直接接地。

共源极JFET放大器的基本电路和特性与共射极放大器的基本电路和特性非常相似。通过连接与漏极电流 Id 和电源电压 Vdd 相关的两个点来构建直流负载线，记住当 Id = 0 :( Vdd = Vds ），当 Vds = 0 :( Id = Vdd / R L ）。因此，负载线是Q点处曲线的交点，如下所示。

公共源极JFET放大器特性曲线

电流

与共射极双极性电路一样，公共源极JFET放大器的直流负载线产生一个直线方程，其梯度如下： -1 /（Rd + Rs） 并且它在 A 点等于 Vdd /（Rd + Rs）时穿过垂直 Id 轴。负载线的另一端在点 B 处与水平轴交叉，该点等于电源电压 Vdd 。

实际位置直流负载线上的Q点通常位于负载线的中间中心点（对于A类作），并由 Vg 的平均值决定，该值作为JFET负向偏置是一种耗尽型器件。与双极共发射极放大器一样，共源极JFET放大器的输出与输入信号的相位为180 o 。

其中一个主要使用耗尽型JFET的缺点是它们需要被负偏置。如果这种偏置因任何原因失效，栅极 - 源极电压可能上升并变为正值，导致漏极电流增加，导致漏极电压失效， Vd 。

也高结FET的沟道电阻， Rds（on），加上高静态稳态漏极电流使这些器件运行热，因此需要额外的散热器。然而，使用增强型MOSFET器件可以大大减少与使用JFET相关的大多数问题。

与等效JFET相比，MOSFET或金属氧化物半导体FET具有更高的输入阻抗和更低的沟道电阻。 MOSFET的偏置布置也是不同的，除非我们对N沟道器件进行正向偏置，对P沟道器件负向偏置，否则没有漏极电流流动，那么我们实际上就是故障安全晶体管。

JFET放大器电流和功率增益

我们之前说过，由于极高的栅极阻抗， Rg <，公共源极JFET放大器的输入电流 Ig 非常小/跨度>。因此，共源极JFET放大器的输入和输出阻抗之间具有非常好的比率，对于任何数量的输出电流，JFET放大器将具有非常高的电流增益 I OUT Ai 。

由于这种常见的源极，JFET放大器作为阻抗匹配电路非常有用，或者用作电压放大器。同样，因为：功率=电压x电流，（P = V I）和输出电压通常为几毫伏甚至伏特，功率增益 Ap 也非常高。

在下一个教程中，我们将研究晶体管放大器的错误偏置如何导致输出信号的失真，其形式是由于削波引起的幅度失真以及相位和频率失真的影响。

怎样测试放大器的输入电阻和输出电阻？

输入电阻和输出电阻分别有两种方法测量：

输入电阻测量，给定信号源，用取样电阻测定信号电流，再测量输入端电压。电压比电流就是电阻。

1、电阻分压法：

2、半压法：

输出电阻测量：

1、直接测量法：先测出空载电压，然后再测出一定负载下的电压，两者的值比上负载电流就是输出电阻。

2、公式法。分别测出负载开路时的输出电压，和带上负载后的电压。

输入电阻是用来衡量放大器对信号源的影响的一个性能指标。输出电阻用来衡量放大器在不同负载条件下维持输出信号电压（或电流）恒定能力的强弱，称为其带负载能力。

扩展资料：

1、输入电阻越大，表明放大器从信号源取的电流越小，放大器输入端得到的信号电压也越大，即信号源电压衰减的少。理论基础：Us=（Rs+Ri）&TImes；I。Rs为信号源内阻，Ri为放大器输入电阻。

因此作为测量信号电压的示波器、电压表等仪器的放大电路应当具有较大的输入电阻。对于一般的放大电路来说，输入电阻当然是越大越好。如果想从信号源取得较大的电流，则应该使放大器具有较小的输入电阻。

2、放大器将放大了的信号输出给负载电阻RL时，对负载RL来说，放大器可以等效为具有内阻Ro的信号源，由这个信号源向RL提供输出信号电压和输出信号电流。

Ro称为放大器的输出电阻，它是从放大器输出端向放大器本身看入的交流等效电阻。如果输出电阻Ro很小，满足Ro《》RL条件，则当RL在较大范围内变化时，就可维持输出信号电流的恒定。如手机电池，它的内阻可以等效看作输出电阻，用了几年后，内阻高了，也就要报废了，因为带不动外面的东西了。

参考资料来源：

参考资料来源：

改变静态工作点对放大器的输入电阻Ri有否影响？改变外接电阻RL对输出电阻RO有否影响？

改变静态工作点对放大器的输入电阻Ri有影响，改变外接电阻RL对输出电阻RO没有否影响。

Ri越大，表明放大电路从信号源索取的电流越小，放大电路所得到的输入电压Ui越接近信号源电压Us。

然而，若信号源内阻Rs是常量，为使输入电流大一些，则应使Ri小一些。 因此，放大电路输入电阻的大小要视需要而设计。

扩展资料：

放大电路从信号源索取的电流越小，放大电路所得到的输入电压Ui越接近信号源电压Us。然而，若信号源内阻Rs是常量，为使输入电流大一些，则应使Ri小一些。 因此，放大电路输入电阻的大小要视需要而设计。

电阻器在额定温度（环境温度）tR下连续工作所允许耗散的功率。对每种电阻器同时还规定工作电压，即当阻值较高时即使并未达到额定功率，也不能超过工作电压使用。

基本组态放大电路中，负载电阻RL越大 电压放大倍数为什么越大?Rs呢?为什么越大越小

因为所谓的电压放大实际是被放大的电流在负载电阻上产生的电压降，负载电阻越大这个电压降就越大，也就是电压放大倍数越大。

Rs是信号源内阻，与放大器的输入电阻Ri呈串联关系，两者结合具有分压作用。当信号从信号源向输入端口传输时，受到这个分压作用的衰减，Rs越大衰减越大，放大器实际接收到的信号就越小，终反映到输出端就是电压放大能力（倍数）越小。

世界调音台 之 ams n 88RS

ams n 88RS是世界上成功的录音棚和演播室调音台，凭借精湛的设计、无与伦比的工艺和传奇般的音质，88RS延续了N（尼夫）模拟调音台的血统，比以往任何产品上都取得了显著进步。88RS是录制、混音、和高保真录音的，具有超高的音频带宽、卓越的动态性和巨大的动态范围。

88RS调音台具有两大模块：一个是带有远程前置放大器的双线路输入模块和集成前置放大器的输入模块。前置放大器可产生高达70dB的麦克风增益，非常适合现代录音的需求。输入滤波器使用12dB的倍频程进行高通和低通，频率范围为31.5Hz至315Hz和7.5kHz至18kHz。通过相关的频率控制旋钮，可于EQ将滤波器切换到通道或路径，以获得的灵活性。

88RS调音台上的每个通道都配有强大的VCA压缩器/限制器，带有用于释放、阈值、比率和高达30dB增益补偿的控制旋钮。先进的侧链均衡器控制、立体声链接和独特的自动释放装置，使它能够以独特的音乐方式作录音源的个性，同时保持对动态范围的控制。88RS 动态部分还包括一个门限/扩展器，带有范围、阈值、释放时间和可切换启动时间的旋转控制，以及EQ侧链和反转等高级控制。滞后控制为信号电平的上升或下降设置单独的阈值，防止在打开通路时产生噪音，并防止混响信号“尾部”过早衰减。

88RS调音台均衡器独特的声音是经过多年研究和广泛的录音检验的结果；88RS EQ提供具有重叠频率范围的4波段参数均衡。这两个中间频带具有Q、增益和频率的可变控制。Q值也随增益自动变化。高频和低频段具有20dB的可变增益和频率控制，具有可切换的Q值和可切换的峰值曲线。八个路由的辅助发送允许基于使用的多轨总线。每个AUX可以从通道或路径发送；通过通道/路径选择，插件也可利用这种灵活的布线功能；此外，插件可以在EQ和pre dynamics之前/之后定位，允许插入各类动态信号流。

88RS多轨总线系统为每个通道、和辅助通道提供48条单声道或24条立体声总线。该系统在使用时提供了极大的灵活性，因为多个通道可以提供相同的直接输出，并且在混合时，路径可以访问相同的输入接口，而无需重新匹配。88RS有两种通道配置，一种带有集成麦克风放大器，另一种带有双线电平输入，支持远程麦克风放大器。双线电平输入选项可以连接到1081R前置放大器的机架上，从控制台表面提供完整的远程控制。

88RS是一款直列式调音台，每个通道配备两个全自动电动P&G音量。调音台还配有一个复杂的系统，允许在控制室内自由。EQ和dynamics可以地路由到通道或路径，通道或音量可以地发送多轨路由。专业的外部前置放大器，如1081模块，可直接接入88RS音量，绕过88RS的通道功能；

88RS专为立体声和环绕声混音而设计。标准系统可处理多达5.1声道的环绕格式。在5.1环绕声模式下工作时，88RS 可设置为传统立体声或LCR环绕声控制。每个通道都有的相位调节，可为每个信号路径选择相位空间感。88RS有三个扬声器输出设置–大、小和mini。每个输出都有单独的微调控制，用于的LS校准和单独的扬声器切换开关，并可根据工作室要求配置为立体声、5.1或7.1。控制室控制可将每个扬声器的输出保持在+/-0.2dB的范围内。

88RS 表头具有高分辨率、多模多轨的仪表显示，和用于混音、和辅助输出的综合中心显示部分。每个通道表头显示路由选择，并具有限制器、压缩机、扩展器的增益显示功能。中段具有八个动圈式表头，用于辅助发送PPM/VU刻度计量值。

88RS混音杆可同时使用单个杆组、5.1环绕声输出和立体声输出。这个理想的管弦乐录音工具为工程师提供了额外的36个总线，通过6组由大小音量返送到LCR和环绕声系统。88RS使用双LCR系统，可根据所需创建多种环绕声格式。通过配置立体声和LCR输出所需的总线来控制主混音的分配矩阵。可选纵手柄模块，用于自动控制环绕声中任何声音对象。

88RS具备专有的Encore软件程序控制，该程序由的计算机系统运行。Encore是迄今为止创建的完整、全面的的自动化系统，可提供所有调音台参数的动态可视化、自动化和全程控制。通过Encore系统可调用调音台的每个设置、pot和fader位置。开关和音量、面板设置、设置和总线布局，P&G音量均可通过Encore自动化软件实现完全自动化。这些控制提供了对调音台信号路径的保真度和终控制，可以通过音量实现自动化，以实现更复杂的混音过程。

分放大器求教

1.图中运放电路的功能

左侧Rs和RL为终端电阻为100欧姆的动输入终端，右侧放大电路的输入端链接Rs和RL之间，

会将信号电压缩小Rs/RL（1000）倍，右侧放大电路则是1000倍放大电路。

所以左侧右侧加起来，就是输入终端以及Buffer(缓冲，1倍电压放大)电路。

用来接收动信号。引入前端电流，并向后端电路提供电流。

通过这个电路，我们可以将动信号转换为single-ended信号。

2.左边的输入与输出的关系

只有电压关系：Vout=Vin

3.如果Vin从-1v到-5v变化时，Vss和Vdd应该设为多少，为什么？Vss必须为-5V以下。可以是-6V,也可以更低，例如-9V，-12V。

这个要看放大器的性能和电压。一种放大器一种结论。

VDD一般接地即可。因为此电路中电压为-1V.

by小春 一头牲口

低噪声放大器的正文

噪声系数很低的放大器。一般用作各类电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F来表示。理想放大器的噪声系数 F=1（0分贝），其物理意义是输出信噪比等于输入信噪比。现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低噪声放大器则采用变容二极管参量放大器，常温 参放的噪声 温度Te可低于几十度(温度)，致冷参量放大器可达20K以下，场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于 2 分贝。放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极一共基极基联的低噪声放大电路。