mos管参数 AISHB贴片mos管参数

小柳给大家谈谈mos管参数，以及AISHB贴片mos管参数应用的知识点，希望对你所遇到的问题有所帮助。

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1、BVdss是源漏电压或电流是否达到设定标准的能力，即是能否够带动起输出所接负载的能力。

2、Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之正向电压(VF)：1.4V间开始形成导电沟道所需的栅极电压：标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

3、间的电阻Id： DS电流.会随温度的升高而降低Vgs: GS电压.一般为：-20V~+20V上面三个是主要直接跟你负载相关。

4、Rds(on)相当于内阻，如果导通后内阻大 而你负载电流也大会导致MOS管发热。

5、Id直接决定电流，如果这个小于你负载也就驱动不了。

6、Vgs 如果没有驱动时候超过这个电压就会损坏MOS管了。

本文到这结束，希望上面文章对大家有所帮助。