mosfet的三个工作区(mosfet三个工作区电压关系)

天天给大家谈谈mosfet的三个工作区，以及mosfet三个工作区电压关系应用的知识点，希望对你所遇到的问题有所帮助。

mosfet的三个工作区(mosfet三个工作区电压关系)

mosfet的三个工作区(mosfet三个工作区电压关系)

1、严格的说是四个区，从输出特性曲线上可以看出来。

2、个区是放大区，它体现了基级电流对集电极-发射极间电流的控制能力，也就是Ic=βIb，工作条件是：集电结反偏，发射结正偏；这个区主要用于对小信号的放大，也是模电研究最多的区域。

3、第二个区是饱和区，它体现的是三极管导通状态下（除满足放大状态外）的工作形态，判断的条件是：集电结正偏或者零偏，发射结正偏；也可以用Ic第三个区是截止区，它体现的是三极管在关断状态下的工作形态，判断的条件是：发射结反偏。

4、需要注意的是：处于截止区时，并不是意味着CE之间完全没有电流，可能存在极微小的电流（uA级水平），这里也会引出一个问题，即晶体管要关断是比较困难的，很多时候开启反而比关断要简单。

5、 第二、三个区可以同时利用，合成三极管的开关状态，用于数字逻辑器件。

6、第四个区一般在模电书中不提，而在电力电子中会提及，即击穿区，主要是指三极管在超越极限参数（Icm，Pcm，Ubr(CEO)等等） 时的工作状态，这时候三极管的工作状态不稳定或者已经损坏。

本文到这结束，希望上面文章对大家有所帮助。