nmos导通条件 nmos电路

nmos管导通饱和截止条件

PMOS增强型管：uG-uS|uGS(th)| ， uGS|th|是开启电压； NMOS增强型管：uG-uS>0，且 |uG-uS|>|uGS(th)| ，uGS|th|是开启电压； PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。

nmos导通条件 nmos电路

nmos导通条件 nmos电路

pmos导通条件

pmos导通条件是指pmos串联晶体管门电压Vgs、源极供电电压Vdd和漏极电压Vdd之间的关系。

pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：itivechannelMetalOxideSemiconductor别名，itiveMOS。NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor，意思为N型金属氧化物半导体，拥有这种结构的晶体管称之为NMOS晶体管。

nmos与pmos驱动能力对比

NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d一般RDS非常小，在导通时D与S电压几乎一样，G端电压比D端高出一个启动电压，实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了，不用之举电容。

但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大，输入电压低，而且还有成本问题，所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况低端驱动，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

P型半导体发生强反应的条件

P型半导体的多子是空穴，要发生强反型，也就是多子变成电子，当然要使电子聚集在表面；要达到这个目的，就要在半导体的栅极加上正电压以吸引电子到表面聚集。这样就达到强反型了。

你也可以想，NMOS就是坐在P型衬底上的，导通时就发生了强反型，而NMOS导通条件就是栅极施加高电平（当然要大于阈值电压）。

如有疑问，可继续交流探讨~

mos管的导通条件是什么？如下题

PMOS增强型管：uG-uS<0 , 且 |uG-uS|>|uGS(th)| ， uGS|th|是开启电压；

NMOS增强型管：uG-uS>0，且 |uG-uS|>|uGS(th)| ，uGS|th|是开启电压；

PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。