pmos导通 pmos导通电压正还是负
2024-11-10 09:53 - 立有生活网
MOS管的导通特性
导通的意义是作为开关,相当于开关闭合。NMOS( AO4614 )的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适宜用于源极接地时的情况(低端驱动),只需栅极电压抵达4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适宜用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,固然PMOS可以很便当地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价钱贵,交流种类少等缘由,在高端驱动中,通常还是运用NMOS。
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nMOS和pMOS导通阈值电压
nMOS:Vth=0.7V ,pMOS:Vth=-0.8V。
MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时,表面沟道中的导电电子很少,反型层的导电能力较弱,因此,漏电流也比较小。
在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲,希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压,因此,它是MOSFET的非常重要参数。
扩展资料:
对于理想的增强型MOSFET(即系统中不含有任何电荷状态,在栅电压Vgs = 0时,半导体表面的能带为平带状态)。
阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = -[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci,Qb =-( 2εεo q Na [ 2ψb ] ),Ci是单位面积的SiO2电容,ψb是半导体的Fermi势(等于本征Fermi能级Ei与Ef之)。
参考资料:
P型MOS管的导通条件是什么?
1、对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同。
2、PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动。
3、但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同。
是的!这个和那个JFET的N沟道对应理解!
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