mosfet主要参数 mosfet规格

MOSFET参数是什么意思?

从顶部到底部的封装类型的电路,源极 - 漏极击穿电压,导通电阻的源极和漏极,其漏极电流25摄氏度,100摄氏度,栅极电荷（典型值）的漏电流,栅 - 漏极电荷（典型值）,热敏电阻,功耗,后者三是无论是生产,无论是铅,和安装类型

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请教MOS管，大家常说多少安培的MOS，耐压多少伏特的MOS，具体是指MOS管的那些参数啊

1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。

2、还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

你的补充基本正确，但电流一处有错，MOS管的电流参数很多时候厂家会给出连续电流，短时间电流和峰值电流，泛指电流不是很恰当，所以在应用时要根据应用的实际情况，认真看具体mos管的详尽参数。

半导体mosfet的静态参数有哪些

静态参数非常多的：开启阈值电压Vth，源漏击穿电压BVds，源漏导通电压Vds，源漏导通电阻Ron，源漏导通电流Ids，等等。

如果是初学者，建议找一份别人的测试报告研究一下。

MOS管主要参数及使用注意事项

1.选用合适的输入电压规格;

2.选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

3.考虑负载特性。如果负载是马达、灯泡或电容性负载，当开机瞬间时电流较大，应选用合适电源以免过载。如果负载是马达时应考虑停机时电压倒灌。

4.此外尚需考虑电源的工作环境温度，及有无额外的辅助散热设备，在过高的环温电源需减额输出。环温对输出功率的减额曲线

5.根据应用所需选择各项功能： 保护功能：过电压保护（OVP）、过温度保护（OTP）、过负载保护（OLP）等。 应用功能：信号功能（供电正常、供电失效）、遥控功能、遥测功能、并联功能等。 特殊功能 ： 功因矫正 （PFC） 、不断电 （UPS）

6.选择所需符合的安规及电磁兼容 （EMC） 认证。

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。

MOS管选择注重的参数有哪几项？

1、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；

2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；

3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；

4、 MOS管允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。

求Fairchild Semiconductor公司的MOSFET，型号为：FQB8N60C 具体介绍，参数，越详细越好~

这是飞兆半导体在2008年10月发布的高压MOSFET，FQB系列属于TO-263（D2PAK）封装SMD安装工艺，另有属于I2PAK直插安装工艺的FQI型号。

该MOSFET源-栅工作电压Vdss=600V

载流能力7.5A（结温25°C时）或者4.6A（结温100°C）

耗散功率3.13W（环境温度25°C时）

静态特性方面，典型通态电阻1Ω（Vgs=10V，载流Id=3.75A时），通态电阻1.2Ω

动态特性方面，典型反向传输电容Crss=12pF

门级电荷Qg=28nC

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This aanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the alanche and commutation mode. These devs are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

简单翻译一下：该增强型场效应功率管采用平面型制造工艺，DMOS技术。

该技术为降低MOSFET的通态电阻而优化，提供了更好的开关特性，适用于半桥拓扑结构中的高效率开关电源供电器、主动式PFC和电子镇流器。

请采纳谢谢。

什么是MOSFET

MOSFET

全称是“金属氧化物半导体场效应管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）

为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗，在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点，在 M1 关断，进入续流阶段时，开通 M 2，使续流电流流经 M2，由于 MOSFET 的导通阻抗极低，损耗很小，例如当续流电流为 10A， MOSFET 导通电阻 10mΩ，二极管 D2 压降 0.7v 时，若续流电流流经 D2 时产生损耗为 7W， 而流经 MOSFET 时产生损耗仅为 1W，因此使用这种控制方式可以减少损耗，提高逆变器的效 率，在续流电流大的情况下效果更加明显。这种控制方式亦称为同步整流。

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

MOSFET 依照其“通道”的极性不同，可分为n-channel与p-channel的MOSFET，通常又称为NMOSFET 与PMOSFET。