8n60场效应管的参数(8n60场效应管参数封装)

CS8N60晶体管可以用其他什么管代换

1、场效应管cs8n60用FNK8n60型号管子代换。

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2、场效应管cs8n60参数：N-沟， 8n60，7.5A，600V，RDS=1.2欧。FNK8n60参数：N-沟，7.5A，650V，RDS=1.2欧。

3、工作原理

N沟道结构型场效应管由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。

场效应管上面标8N60，7N605N60是什么意思可以通用吗？

①、关于以上那8N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：8A//T0-220封装//。

②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。

③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。

④、关于以上三种型号的场效应管均不可以互换，原因是，三种管子的耐电流各不相同。仅供参考！

8n60场效应管可以代替6n60吗

8n60场效应管完全可以代替6n60的，8n60场效应管的主要参数是：耐压A=600V，B=650V，电流7.5A，RDS=1.2Ω，而6n60的主要参数是：耐压A=600V，B=650V ，电流=6.2A，RDS=1.5Ω。

场效应管6N50用什么替代？

8n60场效应管完全可以代替6n60的，8n60场效应管的主要参数是：耐压A=600V，B=650V，电流7.5A，RDS=1.2Ω，而6n60的主要参数是：耐压A=600V，B=650V ，电流=6.2A，RDS=1.5Ω。

场效应管8N60C的参数及代换分别是什么？

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。这是一个200V34A的场效应管。

场效应晶体管（Field-Effect Transistor ,FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管按结构，可分为结型和绝缘栅型两大类。绝缘栅型场效应晶体管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，故有绝缘栅型之称。或者按其金属-氧化物-半导体的材料构成，可称其为MOS管。

绝缘栅型场效应晶体管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。

在一块掺杂浓度低的P型半导体上，扩散两个高掺杂的N+型半导体区，并引出两个电极，分别称为源极S和漏极D。在两个N+区间的P型半导体氧化一层极薄的SiO2绝缘层，在SiO2绝缘层上制作一层金属铅，引出电极，作为栅极G。

在制造N沟道MOS管时，如果在二氧化硅绝缘层中掺入大量正离子，就会在两个N+型区之间的P型衬底表面形成足够的电场，P型衬底中的空穴被排斥到远端，衬底中的电子被吸引到表面，形成一个N型薄层，将两个N+型区即漏极和源极沟通。这个N+型薄层称为N型导电沟道，又因为是在P型衬底中形成的而称为反型层。这种MOS管在制造时导电沟道已经形成，称为耗尽型MOS管。

如果导电沟道不是预先在制造时形成的，而是利用外加栅极-源极电压形成电场产生的，则此类称为增强型MOS管。当UGS>0时，G和S像一个平板电容器的两个极板，SiO2和P型衬底好像电容中的介质，G-S间加正向电压后，其间便形成一个电场，在此电场的作用下，P型衬底中的空穴被排斥到远端，衬底中的电子被吸引到表面，形成一个N型导电沟道，当UGS增大时，感生负电荷Q负增多；当UGS增大到某一数值比如(UGS=UTH)时，Q负足够多，恰好将两个N+区连接连通，这时只要UDS≠0，D-S间就会导通，即ID=0。如果UGS继续增大，ID随之增大；相反，如果UGS减小，ID随之减小。如果在D引线上串入一个电阻RD，则ID就会在RD上产生压降，并随着UGS的变化而变化。显然，这是一个受电压控制的晶体管。

8n60场效应管的参数(8n60场效应管参数封装)

P沟道MOS管是因在N型衬底中生成P型反型层而得名。其结构和工作原理与N沟道MOS管似。只是使用的栅-源和漏-源电压极性与N沟道MOS管相反。

由于MOS管工作时只有一种极性的载流子(N沟道是电子，P沟道是空穴)参与导电，故亦称为单极型晶体管。与双极型晶体管的共发射极接法类似，MOS管采用共源法

当UGS上升时，感生负电荷Q负增多；当UGS增到某个值比如UGS=UTH时，Q负足够多，恰好将两N+区连通，这时只要UDS≠0，D-S间就会导通，即ID≠0。如果UGS增大，ID也就越大。如果在D引线上串一个电阻RD，则ID就会在RD上产生压降，并随着UGS的变化而变化。所以场效应晶体管是电压控制的电流源器件。

MOSFET与BJT都是半导体晶体管，MOSFET的源极、漏极、栅极分别相当于BJT的发射极、集电极、基极。BJT的集电极电流IC受基极电流IB的控制，是一种电流件；而MOSFET的漏极电流ID受栅-源电压UGS的控制，是一种电压控制元件。

与BJT类似，MOSFET不仅可以通过UGS控制ID实现对信号的放大作用，而且也可以作为开关元件，通过UGS控制其导通或判断，广泛用于开关电路和脉冲数字电路中。

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